计算机世界网消息 周一，欧盟委员会公布了一份详细的“未来半导体发展计划”。在该计划中欧盟表示，未来欧盟将投资建立一个新的研发中心，旨在加快欧盟国家在半导体材料、制造工艺以及设计方面取得突破。

　　欧盟委员会称，它们将斥资2400万欧元(大约折合2970万美元)，启动该项名为“NanoCMOS”的半导体高阶制程研发计划。

　　该计划目的是通过技术研发，寻求增强半导体工作性能而且降低芯片密度的有效方法，也就是通常被人们称为“纳米科技”下一代半导体技术。

　　“NanoCMOS”计划聚焦重点多在于发展45nm的互补型金属氧化物半导体(CMOScomplementarymetal-oxidesemiconductor)制程的相关活动方面。同时，该组织还将对目前尚无广泛应用45nm以下——32nm、22nm制程的CMOS进行研发。

　　关于纳米半导体材料的研发，目前在世界范围内已广泛展开。去年，美国总统布什通过了一项关于投资37亿美元兴建美国“纳米”半导体材料的四年研发计划。

　　参加该纳米科技“NanoCMOS”计划的队伍以学术界为基础，并且整合了欧洲的优秀半导体研究团队，包括欧洲最大的三家半导体制造商——Infineon、飞利浦和STMicroelectronics公司，以及其他的几个研究院，比如法国的CEALeti，比利时的IMEC等等。

　　据负责该项目的一位代表称，该计划的启动旨在通过欧洲学院的先进理论和行业内的技术支持，使欧盟成为纳米技术的领先者。该项目的第一步计划利用两年或更多的时间进行45nm制程半导体材料的研究，第二步研发计划将针对45nm制程以下，也就是包括32nm、22nm材料的研发，预计将在2006年可初见轮廓。